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  据新华社伦敦5月19日电 (记者黄堃)英国研究人员最近报告说,他们研发出一种基于“电阻性记忆体”的新型存储设备,与现在广泛使用的闪存相比,耗电量更低,而存取速度要快上一百倍。

  电阻性记忆体的基础是忆阻材料,这种材料的特殊性在于,在外加电压时其电阻会发生变化,随后即使取消外加电压,它也能“记住”这个电阻值。在此基础上开发出的存储设备与现有闪存相比更快更节能,是业界近来的研发热点。但以前开发出的这种存储设备只能在高度真空环境中运行。

  英国伦敦大学学院等机构研究人员日前在《应用物理学杂志》上报告说,他们发现可用硅的氧化物制作一种新的忆阻材料,相应存储设备可在常规环境下运行,因此应用价值大大提高。

  研究人员安东尼·凯尼恩说,这种新型存储设备的能耗只有闪存的约千分之一,而其存取速度是闪存的一百倍以上。

  据介绍,这项成果与科学史上许多发现一样都是源于意外。研究人员最开始是在用硅氧化物制作发光二极管,但在实验过程中出了故障,发现所用材料的电学性质变得不稳定了,检查之后发现它们电阻在变化,原因是已经变成了忆阻材料,于是正好把它们转用于研发新型存储设备。

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